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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
56
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
25
读取速度,GB/s
4,387.7
14.6
写入速度,GB/s
1,813.5
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2073
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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