Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

总分
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

总分
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 52
    左右 -86% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    18.4 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.7 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    52 left arrow 28
  • 读取速度,GB/s
    9.7 left arrow 18.4
  • 写入速度,GB/s
    7.2 left arrow 14.7
  • 内存带宽,mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2173 left arrow 3525
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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