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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
17
读取速度,GB/s
12.8
22.1
写入速度,GB/s
9.0
17.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
4042
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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