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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.8
16.6
写入速度,GB/s
9.0
15.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3629
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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