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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
12.8
14.8
写入速度,GB/s
9.0
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3094
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
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