RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
12.8
17.4
写入速度,GB/s
9.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3576
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lenovo 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link