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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.8
18.8
写入速度,GB/s
9.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3458
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
INTENSO 5641160 8GB
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