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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
12.8
14.4
写入速度,GB/s
9.0
8.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2511
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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