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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
12.8
15.0
写入速度,GB/s
9.0
10.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2636
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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