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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
12.8
13.9
写入速度,GB/s
9.0
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2197
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB RAM的比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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