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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
43
读取速度,GB/s
12.8
15.5
写入速度,GB/s
9.0
11.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2864
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
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