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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.8
10.5
写入速度,GB/s
9.0
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2386
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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