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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
比较
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB vs Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
56
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.1
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR3
PassMark中的延时,ns
56
49
读取速度,GB/s
9.3
10.1
写入速度,GB/s
7.7
7.8
内存带宽,mbps
17000
10600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2200
2070
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
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