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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
51
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
23
读取速度,GB/s
9.8
17.0
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2963
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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