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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
18.0
写入速度,GB/s
8.1
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3334
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
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