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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
9.8
17.3
写入速度,GB/s
8.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3432
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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