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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
9.8
15.2
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2878
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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