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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
51
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
37
读取速度,GB/s
9.8
15.5
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2962
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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