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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
18.3
写入速度,GB/s
8.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3433
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
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