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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
9.8
13.7
写入速度,GB/s
8.1
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2052
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
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