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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
9.8
15.5
写入速度,GB/s
8.1
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2442
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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