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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
9.8
18.9
写入速度,GB/s
8.1
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3835
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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