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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

总分
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

总分
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    51 left arrow 101
    左右 50% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 6.7
    测试中的平均数值
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB 需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.1 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    51 left arrow 101
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 12.1
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 6.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2208 left arrow 1382

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
内存RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
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内存RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
内存RAM
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