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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
15.5
写入速度,GB/s
8.1
9.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2496
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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