RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
51
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2496
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link