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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905663-016.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
9.8
14.6
写入速度,GB/s
8.1
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2261
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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