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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905703-011.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
9.8
14.7
写入速度,GB/s
8.1
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2616
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905703-011.A00G 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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