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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9965589-031.D01G 2GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
51
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
47
读取速度,GB/s
9.8
10.9
写入速度,GB/s
8.1
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2211
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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