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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston KY7N41-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KY7N41-MID 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
9.8
15.5
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2869
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OCZ OCZ2P800R21G 1GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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