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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
11.0
写入速度,GB/s
8.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2271
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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