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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
51
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
34
读取速度,GB/s
9.8
14.9
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2780
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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