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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
51
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
40
读取速度,GB/s
9.8
14.8
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2709
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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