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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
9.8
15.9
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2240
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Corsair CM2X2048-8500C5D 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
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