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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
9.8
11.8
写入速度,GB/s
8.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2199
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-040.A01LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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