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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
51
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
23
读取速度,GB/s
9.8
13.5
写入速度,GB/s
8.1
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2121
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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