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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
60
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
60
读取速度,GB/s
11.2
17.3
写入速度,GB/s
8.1
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2129
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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