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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.1
13.8
写入速度,GB/s
7.8
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2737
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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