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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Kllisre DDR4-8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
49
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
46
读取速度,GB/s
10.1
11.4
写入速度,GB/s
7.8
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2311
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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