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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
10.4
15.0
写入速度,GB/s
7.8
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2452
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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