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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
18.5
写入速度,GB/s
7.8
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3475
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
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