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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
68
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
68
读取速度,GB/s
10.4
16.1
写入速度,GB/s
7.8
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2037
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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