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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
10.4
17.0
写入速度,GB/s
7.8
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3690
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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