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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
18.6
写入速度,GB/s
7.8
14.4
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3491
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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