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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
10.4
17.8
写入速度,GB/s
7.8
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3126
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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