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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
10.4
16.8
写入速度,GB/s
7.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3009
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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