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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
61
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
61
读取速度,GB/s
10.4
18.4
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2025
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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