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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston 9905598-044.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
10.4
15.7
写入速度,GB/s
7.8
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2609
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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