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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

总分
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 47
    左右 -114% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.5 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    10.4 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2169 left arrow 3201

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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内存RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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