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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
10.4
15.4
写入速度,GB/s
7.8
10.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2892
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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