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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
10.4
14.8
写入速度,GB/s
7.8
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2173
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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